手机存储跳跃！ SK Hynix取321层4D闪存UFS 4.1

根据Kuai Technology的说法，SK Hynix宣布，它基于新一代的UFS 4.1存储解决方案，基于由4D NAND闪存存储器堆叠的321层，该解决方案将在2026年第一季度出现，这可以改善智能手机存储的性能。 SK Hynix说，新的内存存储器仅为0.85 mm厚，比以前的238层堆栈的1.0毫米小15％，并且仍然可以保持最大连续读数速度，最高为4.3GB/s。这种性能超过了最佳的PCIE 3.0 SSD。同时，随机阅读和写作性能分别提高了15％和40％，使其更适合经常读写小文件的手机等设备，但没有披露特定的数据。在能源效率方面，SK Hynix还声称增加了7％，对应于电池寿命的扩大，但没有提供具体的数据。但是，堆叠层的数量增加了，总容量有没有改变。目前，它是512GB和1TB。 [本文的结尾]如果您需要打印，请确保指示来源：Kuai技术编辑：Shangfang Wenq